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              MB85RS2MTPF鐵電存儲器100%原裝正品

              發布時間:2019/2/26 11:12:00 訪問次數:140 發布企業:深圳斯普侖科技有限公司

              富士通半導通信機存器

              型號:MB85R256F、MB85R4M2T、MB85RC04V、MB85RC128A、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC1MT、MB85RC256V、MB85RC512T、MB85RC64TA、MB85RC64V、MB85RDP16LX(*)、MB85RQ4ML、MB85RS128、MB85RS128B、MB85RS16N、MB85RS1MT、MB85RS256B、MB85RS256TY、MB85RS2MTA、MB85RS512T、MB85RS64、MB85RS64V、MB85RS128TY、MB97R8110、MB85RDP16LX、MB85RS64T、MB85RS64TU、MB94R330、MB97R8050、MB89R119B、MB89R112A、MB89R112B、MB89R118C、MB97R8120、MB97R8130



              1Mbit/2MbitFRAMSPI接口非易失性存儲器

              MB85RS1MT/MB85RS2MT

              這兩款新產品是富士通半導體提供的最大容量串口FRAM,分別帶有1Mbit和2Mbit的存儲器,適合用于智能電表、工業機械和醫療設備。它有助于開發高性能、小型和節能的設備,為客戶大幅降低整體成本。*FRAM:FerroelectricRAM:鐵電存儲器


              FRAM解決方案的優勢:

              與以往的串行存儲器相比,FRAM具有低功耗、高速寫入和高耐受力等特點,可以減輕產品開發人員在存儲器系統設計方面的煩惱和負擔。FRAM還有助于降低終端產品運用中的風險并將損失控制到最小范圍,有利于降低從產品開發到運用的整體成本。圖1所示為FRAM的目標應用之一,即電力儀表開發人員在存儲器系統設計上的煩惱及其解決方案。以下將具體介紹FRAM的特點以及能給客戶帶來的好處。


              低功耗改善設備能耗:

              利用非易失性存儲器FRAM取代SRAM可省卻數據維持所需的電池,從而節省電力。EEPROM數據寫入時電流大、時間長,因而功耗也大。在電力儀表等應用中,由于需要頻繁讀取和記錄數據,采用EEPROM時功耗會較大。FRAM數據寫入時電流小、速度快,因而功耗也小。采用FRAM作為數據記錄用的存儲器設備能耗更低。與存儲容量相同的EEPROM相比,FRAM寫入時最大可減少92%的功耗(寫入速度2K字節/秒)。


              型號接口存儲器容量電源電壓工作周期(最大)工作溫度范圍數據讀寫次數數據保持特性封裝

              MB85RS1MTSPI1Mbit1.8~2.7V25MHz-40~+85℃10萬億次(1013次)10年(+85℃)8腳SOP2.7~3.6V30MHz*MB85RS2MTSPI2Mbit1.8~2.7V25MHz-40~+85℃10萬億次(1013次)10年(+85℃)8腳SOP8腳DIP2.7~3.6V25MHz**40MHz條件下的高速讀動作。

              MB85RS2MTPF.png" data_ue_src="/uploadfile/member_news/2019-02-26/4a297130-3934-4163-a0df-234ae3cd295f.png" />

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