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              MR45V100A1MbitFeRAM存储器ICROHM的FeRAM具有更快的数据重写,更高的重写耐用性和更低的功耗

              发布时间:2019/2/26 17:07:00 访问次数:85 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

              MR45V100A 1 Mbit FeRAM存储器IC ROHM的FeRAM具有更快的数据重写,更高的重写耐用性和更低的功耗 MR45V100A 1 Mbit FeRAM存储器IC ROHM的FeRAM具有更快的数据重写,更高的重写耐用性和更低的功耗

              ROHM Semiconductor的MR45V100A 1 Mbit FeRAM存储器IC图片ROHM的MR45V100A 1 Mbit铁电随机存取存储器(FeRAM)专为智能电表,测量设备,医疗设备和金融终端等应用而设计,这些应用需要在紧急情况下快速,频繁地获取日志数据和/或快速数据备份。与其他非?#36164;?#24615;存储器(如EEPROM和闪存)相比,FeRAM具有更快的数据重写速度,更高的重写耐用性和更低的功耗。

              MR45V100A通过SPI总线在1.8 V至3.6 V的宽电源电压范围内提供高速40 MHz工作频率。即使在不稳定的电源环境中突然出现电压下降,1 Mbit的大容量也可?#32321;?#31283;定的高速性能,有助于提高安装设备中高速备份时的可靠性。或者,MR44V100A具有I2C总线I / F,适用于不需要高速运行的应用。

              此外,考虑到移动应用,待机模式已得到改进,以抑制在增加内存容量时发生的功耗上升,并且已实施睡眠模式以进一步降低功耗。这导致低至10μA(平均)的待机电流和仅为0.1μA(平均值)的睡眠电流,使其成为便携式设备和便携式终端(如批准终端和数据记录器)的理想选择,这些终端非常重视电池驱动时间。

              特征 在1.8 V至3.6 V的宽范围内实现40 MHz工作 大容量,低待机/睡眠电流 改进的待机模式将待机电流限制在10μA 睡眠模式可提供0.1μA的低睡眠电流以及快速恢复时间 应用 办公自动化 工业设备 广播?#20302;? 汽车配件 医疗设备 笔记本电脑

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