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              FP25R12W2T4

              发布时间:2019/4/11 10:20:00 访问?#38382;?64 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
              FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
              Infineon Technologies
              FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
              Infineon Technologies
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              配置: Array 7
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              封装 / 箱体: EASY2B
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              高度: 12 mm
              长度: 56.7 mm
              系列: IGBT4
              宽度: 62.8 mm
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
              单位重量: 39 g
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              集电极—射极饱和电压: 2.25 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              栅极—射极漏泄电流: 400 nA
              Pd-功率耗散: 175 W
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              系列: IGBT4
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
              单位重量: 39 g

              功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
              FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
              Infineon Technologies
              FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
              Infineon Technologies
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              配置: Array 7
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              封装 / 箱体: EASY2B
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              高度: 12 mm
              长度: 56.7 mm
              系列: IGBT4
              宽度: 62.8 mm
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
              单位重量: 39 g
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              集电极—射极饱和电压: 2.25 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              栅极—射极漏泄电流: 400 nA
              Pd-功率耗散: 175 W
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              系列: IGBT4
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
              单位重量: 39 g

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              FP25R12W2T4

              功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
              FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
              Infineon Technologies
              FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
              Infineon Technologies
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              配置: Array 7
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              封装 / 箱体: EASY2B
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              高度: 12 mm
              长度: 56.7 mm
              系列: IGBT4
              宽度: 62.8 mm
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
              单位重量: 39 g
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              集电极—射极饱和电压: 2.25 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              栅极—射极漏泄电流: 400 nA
              Pd-功率耗散: 175 W
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              系列: IGBT4
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
              单位重量: 39 g

              功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
              FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
              Infineon Technologies
              FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
              Infineon Technologies
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              配置: Array 7
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              封装 / 箱体: EASY2B
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              高度: 12 mm
              长度: 56.7 mm
              系列: IGBT4
              宽度: 62.8 mm
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
              单位重量: 39 g
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: 详细信息
              产品: IGBT Silicon Modules
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              集电极—射极饱和电压: 2.25 V
              在25 C的连续集电极电流: 39 A
              栅极—射极漏泄电流: 400 nA
              Pd-功率耗散: 175 W
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 150 C
              封装: Tray
              系列: IGBT4
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS Code: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 15
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              商标名: TRENCHSTOP
              零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
              单位重量: 39 g

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