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              FD200R12KE3

              发布时间:2019/4/12 13:19:00 访问?#38382;?56 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

              FD200R12KE3


              FD200R12KE3

              FD200R12KE3

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              FD200R12KE3

              FD200R12KE3中文资料
              功能描述:IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

              配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A

              栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
              制造商: Infineon
              产品种类: IGBT 模块
              RoHS: N
              配置: Single
              集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
              集电极—射极饱和电压: 1.7 V
              在25 C的连续集电极电流: 200 A
              栅极—射极漏泄电流: 400 nA
              Pd-功率耗散: 1.04 kW
              封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )-5
              最小工作温度: - 40 C
              最大工作温度: + 125 C
              封装: Tray
              高度: 30.9 mm
              长度: 106.4 mm
              宽度: 61.4 mm
              商标: Infineon Technologies
              安装风格: Chassis Mount
              CNHTS: 8541290000
              HTS代码: 8541290095
              栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
              MXHTS: 85412999
              产品类型: IGBT Modules
              工厂包装数量: 10
              子类别: IGBTs
              TARIC: 8541290000
              零件号别名: FD200R12KE3HOSA1
              FD200R12KE3

              FD200R12KE3

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