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              F3L100R07W2E3

              发布时间:2019/4/12 13:20:00 访问?#38382;?55 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

              F3L100R07W2E3




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              F3L100R07W2E3中文资料 功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

              配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

              —射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 封装: Tray 商标: Infineon Technologies CNHTS: 8541290000 HTS代码: 8541290095 MXHTS: 85412999 产品类型: IGBT Modules 工厂包装数量: 15 子类别: IGBTs TARIC: 8541290000 零件号别名: F3L100R07W2E3

              F3L100R07W2E3中文资料 功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

              配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

              —射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 封装: Tray 商标: Infineon Technologies CNHTS: 8541290000 HTS代码: 8541290095 MXHTS: 85412999 产品类型: IGBT Modules 工厂包装数量: 15 子类别: IGBTs TARIC: 8541290000 零件号别名: F3L100R07W2E3

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