• <em id="4csjz"><tr id="4csjz"></tr></em>
            1. 位置:51电子网 » 技术资料 » IC/元器件
              内部目检技术的发展趋势 2019/5/21 21:53:06
              内部目检技术的发展趋势内部目检作为对电子元器件内部材料、设计、结?#36141;?#24037;艺质量检查的主要手段,在鉴定检验、质量一致性检验及破坏性物理分析(DPA)过程中起着非常重要的作用。随着信息化...[全文]
              湿法化学喷射刻蚀2019/5/21 21:44:16
              湿法化学喷射刻蚀D1117-33Ca.本方法排除了手工湿法刻蚀中固有的不安全因素,并能?#26500;?#33455;区域?#30446;?#23553;快捷、干诤、局部化,通常对器件没有损坏。b.湿法化学喷射刻蚀所需...[全文]
              半导体分立器件2019/5/21 21:21:53
              半导体分立器件l)无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管轴向引线(无键合引线)玻璃外?#23884;?#26497;管的示意。D05040H-473MLD对透明玻璃结构二...[全文]
              电容器2019/5/20 21:41:44
              电容器1)圆片瓷介电容器LM20242MHX/NOPB圆片瓷介电容器的示意图如图⒋64所示。圆片瓷介电容器?#30446;?#23553;方法如下:用化学溶剂或等离子蚀刻法将样品...[全文]
              金属箔固定电阻器2019/5/20 21:27:51
              金属箔固定电阻器BQ24074RGTR金属箔固定电阻器的示意图如图⒋55所示。金属箔固定电阻器?#30446;?#23553;可采用下述方法之一。方法⒈机械开封(推荐使用)...[全文]
              密封筛选2019/5/20 20:45:47
              (1)密封筛选。器件应首先进行密封试验,参照GJB548方法1014进行细检漏和粗检漏,筛选密封合格的样品进行试验。(2)表面清洗。所有的器E1116AEBG-8E-F件在进行试验...[全文]
              镀层厚度是影响镀层质量的关键性指标之一2019/5/19 17:18:58
              镀层厚度是影响镀层质量的关键性指标之一,目前对元器件涂覆层厚度测量可分为有损测量和无损测量。M0515GS2-G有损测量主要包括阳极溶解库仑法、光学法(包括覆层断面显微镜测量、干涉法光学装置测量...[全文]
              典型射频连接器2019/5/19 17:18:01
              将被测的连接器(螺纹式连接器)与其配接的标?#21058;?#25509;器相啮合,将连接螺母拧紧到相关详细规范规定的力矩值。一段时间后,将被测连接器与其配接的标?#21058;?#25509;器分离。M02042G-4Q检查螺纹式连接器是否有损...[全文]
              矩形连接器的啮合力和分离力2019/5/19 17:02:00
              矩形连接器的啮合力和分离力(1)试验设备H1062NL①符合精度要求的拉力试验机。②能使试验样品按规定方法安装的?#33455;摺?2)试验程序...[全文]
              试验过程中遇到的问题及解决思路2019/5/18 19:46:51
              试验过程中遇到的问题及解决思路1.封装的多样性塑封器件的封装形式是多种多样的,包括PLCC、PQFP、sQFP等,这就要求在进行声扫试验时样品摆放的形式也是多种多样的...[全文]
              对标准的理解2019/5/18 19:38:51
              对标准的理解GJB548法⒛⒄、GJB128方法⒛36、GJB3ω方法211等标准方法中均规定了引出端强度的试验方法,G2RL-2-DC5V综合以上标准中的方法可以将元器件的引出端...[全文]
              弯曲应力2019/5/18 19:29:42
              弯曲应力1)试验设?#24863;?#26377;固定装置、夹钳、支架或其他适当的器具,以保证能够按规定的弯曲?#23884;?#26045;加弯曲应力。2)程序?#21051;?#21463;试的引线或引出端?#23478;?#21463;...[全文]
              试验条件B为浸焊,试验顺序如下2019/5/17 21:40:04
              试验条件B∶浸焊EDK2232CBPA-60-F试验条件B为浸焊,试验顺序如下。(1)将元件装配在适当的?#33455;?#20043;上。(2)当有规定时,引线涂助焊剂。...[全文]
              针对不同行业的测量方法2019/5/16 20:42:09
              针对不同行业的测量方法,测量焊接设备主要有两类,一类可?#24863;?#27979;试仪如图4-15所示,HCPL0211另类可?#24863;?#27979;试仪如图4-16所示。其中一类可?#24863;?#35797;验仪器采用微处理器全自动控制法,操作简单,用户...[全文]
              电连接器空气泄漏密封检测2019/5/16 20:34:19
              电连接器空气泄漏密封检测1)空气泄漏法检测原理空气泄漏法是将被检件一端密封好,向被检件另一端连接充气管路并加压,使其压H5TQ2G83DFR-PBC力上升到规定的数值...[全文]
              去除试样样品氦气吸附2019/5/16 20:28:53
              去除试样样品氦气吸附GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明确规定:“将待测样?#20998;?#20110;密封室内,然后在规定的压力下用1O0%的氦气对密封罐加压,经过规定的时间(rl)...[全文]
              密封试验是确定具有空腔的电子元器件封装的气密性的试验2019/5/15 21:03:34
              1.基本概念密封试验是确定具有空腔的电子元器件封装的气密性的试验。电子元器件封装密封?#30446;?#38752;性直接影响产品的性能,轻则使器件性能劣化,GGPM01U重则对内部结构产生腐蚀,致使电子元...[全文]
              空间辐射环境中存在的各?#25351;?#33021;射线粒子2019/5/14 21:01:55
              空间辐射环境中存在的各?#25351;?#33021;射线粒子,如质子、电子、α粒子、重离子等。M24M01-RMN6TP这些高能射线或粒子入射到半导体器件中时,会发生单粒子效应,导致器件失效。单粒子效应叉称单粒子事件(...[全文]
              MOS器件的加速评估方法2019/5/14 20:42:16
              MOS器件的加速评估方法在GJB548B-20“、QJ1O004―2008及MIL-STD-883H中给出了MOS器件的总剂量辐照试验流程(加速评估方法),具体流程如图3-12所示...[全文]
              部分双极器件和线性集成电路都具备明显的ELDRs效应2019/5/14 20:40:03
              与MOS器件不同,M24C04-RMN6TP对于大多数双极晶体管及双极器件而言,不同的剂量率辐照结果不是TDE效应,而是一?#20540;图?#37327;辐照损伤增强效应(EnhanccdLowDoscRatcsens...[全文]
              总页数:685 每页记录数:20 当前页数:1 首页 上一页 1 2 3 4 5 6 下一页 尾页

              热门点击

              IC型号推荐



              安徽11选五开奖记录