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              石英晶体和压电元件2019/5/21 21:10:21
              石英晶体和压电元件1)石英晶体元件AD8221ARMZ石英晶体元件的示意图如图⒋92所示。石英晶体元件的开封方式如下:金属壳元件的开封可在晶体盒的罩壳与...[全文]
              非固体电解质钽电容器的开封如下:2019/5/20 21:48:18
              非固体电解质钽电容器的开封如下:在外壳滚压槽与阴极之间(靠近滚压槽)进行圆周切割,抽出钽粉芯,轻轻拨去表面的凝胶酸电解质,注意不要碰伤钽粉芯表面的氧化膜,再用清水冲洗,使其露出氧化层表面。TPS...[全文]
              非线绕电位器的开封2019/5/20 21:39:11
              非线绕电位器的开封:(1)带有圆盖的方形塑封外壳电位器。在盖边下面的黏结缝插入刀?#26041;?#30422;撬开。TUSB1106PWR卸下?#26032;?#21644;驱动螺杆,暴露出内部表面。...[全文]
              金属膜固定电阻器按其不同的封装结构分别采用如下方法进行开封2019/5/20 21:24:11
              金属膜固定电阻器按其不同的封装结构分别采用如下方法进行开封。(1)涂覆型电阻器可采用化学方法去除涂覆层,采用的工艺和材料应能溶解并剥离涂覆层,但不得腐蚀金属膜、芯体、引出端和熔焊点...[全文]
              X射线荧光测厚仪的工作原理2019/5/19 17:21:11
              X射线荧光测厚仪的工作原理如图4-38所示,由X射线罩、安全阀门、准直器、X射线、计数器等部分组成。X射线荧光测厚仪的工作原理如图4-39所示。其采用高能X射线轰击样品表面,被测M...[全文]
              声学扫描显微镜检查2019/5/18 19:40:46
              声学扫描显微镜检查(以下简称声扫)是一种?#34892;?#30340;检测芯片黏结空洞和分层,以及塑G3202BTL1U封器件内部缺陷的非破坏性技术,在鉴定检验和工程应用中得到了广泛使用。声扫是一种无损检...[全文]
              无引线片式载体和同类封装器件的焊盘附着性能2019/5/18 19:36:00
              无引线片式载体和同类封装器件的焊盘附着性能1)试验设各G2RL-2-5VDC本试验所用设备应包括放大10倍的显微镜、合适的夹钳、?#33455;?用于固定器件,而且对焊到器件焊盘...[全文]
              引出端强度用来测定电子元器件的引线2019/5/18 19:24:36
              引出端强度用来测定电子元器件的引线(引出端)、焊接和密封的牢固性。引出端强G2007RG1U度试验主要分为拉力试验、弯曲应力试验、引线疲劳试验、引线扭力试验、螺栓转矩试验,以及无引线片式载体和同...[全文]
              [全文]
              扁平封装和双列直插封装2019/5/16 21:21:51
              扁平封装和双列直插封装(见图⒋23)(1)接触或跨接其他引线或键AD574AJD?#31995;?#30340;任何引线(仅y平面)。(2)偏离从键?#31995;?#21040;外引线间的直线并与另外键?#31995;?#25110;引线间距...[全文]
              应采用大小足以容纳试验样品的耐腐蚀的容器2019/5/16 20:44:18
              焊料槽:焊料槽尺寸应能容纳至少1kg的焊料,在浸焊过程中,焊料应处于静止状态,HCS301-I/SN应能保持焊料?#38706;?#20026;(z5±5)℃的恒温条件。图⒋17...[全文]
              物理试验是产?#36153;?#35777;和生产过程中改进产品设计2019/5/15 20:59:00
              由于电子元器件的种类繁多,且没有统一的外观检查标准,本书仅针对器件和元件类产品的检查标准进行简单介绍。器件类产品外观检查参照标?#23478;?#33324;为GJB548《微电子器件试验方法...[全文]
              IPM和IDM测试2019/5/15 20:31:25
              IPM和IDM测试该产品IPM和IDM各包含512K位SRAM,采用动态模式进行测试,测试向量为“棋盘格”图案,测试流程如图3-26所示。辐照开始后,DSP测试代码用“棋盘格”图案...[全文]
              DsP单粒子效应试验方法2019/5/15 20:29:40
              DsP单粒子效应试验方法图3-25所示为某型DsP(Ⅱgitalsign破Pro⑽∞r,数字信号处理器)的单粒子翻转试验系统示意图。GAL22V10D-10LP该型产品的单粒子翻转...[全文]
              需要根据器件的结构性能确定试验离子的种类和数量2019/5/15 20:17:31
              确定试验源以后,需要根据器件的结构性能确定试验离子的种类和数量。单粒子GAL16V8D-15LPN试验的目的是通过试验获得单粒子截面σ―LET关系曲线,并根据关系曲线进行单粒子事件率的预估,因此...[全文]
              MOS器件加速退火试验2019/5/14 20:44:08
              由于?#38706;?#30340;升高将会加速氧化物陷阱电荷的退火,而且?#38706;?#30340;升高将会使界面态的生长速度增加。M24C08-WMN6TP因此,可以利用提高?#38706;?#26469;使高剂量率辐照后的室温退火加速,进行A=1OO℃的168小...[全文]
              电离总剂量辐照源及试验设备2019/5/14 20:30:21
              电离总剂量辐照源及试验设备半导体器件对辐射非常敏感,为保证电子设备在特定的辐射环境下能正常I作,必须对M24512-WMN6TP它们的辐射效应及辐射加固进行?#33455;俊?#21033;用卫星搭载飞行试...[全文]
              热敏电阻测温。2019/5/13 21:34:59
              热敏电阻测温常用的?#20309;露?#31995;数热敏电阻具有灵敏度高、体积小、响应快和抗干扰能力强等优点,被广泛应用于各种?#38706;?#27979;量。测?#36335;?#22260;为砭00℃~⒛0℃,阻值变化范围为l×102~1×106Ω。...[全文]
              卡口连接器的吹砂试验结果与分析2019/5/12 17:32:49
              卡口连接器的吹砂试验结果与分析K-13?#28034;?#21475;连接器按照GJB15012进行吹砂试验后的状况如图⒉23所示。尽管吹H6417709F80B砂试验所用的砂尘颗粒大于吹尘试验所用的砂尘颗...[全文]
              接触电阻在砂尘试验后增加近4倍2019/5/12 17:29:44
              (1)接触电阻在砂尘试验后增加近4倍。连接器的连接对是在接触力的作用下实现机械连接来进行电连接的,砂尘颗粒通过卡口进入电连接器的内部后,H5TQ1G63BFR-H9C分直接吸附在插针和插孔的接触...[全文]
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